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2023-08-15
目前,全球刻蝕機(jī)設(shè)備的參與者相對(duì)較少,行業(yè)整體處于寡頭壟斷格局。主要的參與者包括美國(guó)的Lam Research(泛林半導(dǎo)體)、AMAT(應(yīng)用材料)、日...
2023-08-15
最早的FC晶圓C4凸點(diǎn)制造技術(shù)是IBM公司開(kāi)發(fā)的蒸鍍工藝,目前最常用的方法是電化學(xué)沉積或電鍍工藝。 芯片凸點(diǎn)的蒸鍍工藝流程如下:將鉬掩模板對(duì)中至...
2023-08-14
掩膜版的生產(chǎn)主要包括以下幾個(gè)流程:圖形光刻,顯影,蝕刻,脫膜,清洗。其中,圖形光刻是通過(guò)光刻機(jī)進(jìn)行激光光束直寫(xiě),以完成圖形曝光,掩膜版制造都...
2023-08-14
掩膜板的基材一般為熔融石英(quartz),這種材料對(duì)深紫外光(DUV,KrF-248nm,ArF-193nm)具有高的光學(xué)透射,而且具有非常低的溫度膨...
2023-08-11
曝光劑量和曝光時(shí)間之間的換算因子 為了獲得根據(jù)光刻膠技術(shù)數(shù)據(jù)表中給出的推薦曝光劑量確定的正確地曝光時(shí)間,必須知道以下內(nèi)容: · 曝光...
2023-08-11
曝光:在光刻膠膜中發(fā)生的化學(xué)過(guò)程導(dǎo)致其在顯影液中溶解度的增加(正膠)或減少(負(fù)膠),從而可以產(chǎn)生出特定結(jié)構(gòu)光刻膠膜。 基于DNQ-基光引發(fā)劑的正膠...
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