1. 直流濺射DCPVD：靶材只能是導(dǎo)體，主要用于沉積金屬柵。DCPVD是利用電場(chǎng)加速帶電離子，使離子和靶材表面原子碰撞，將后者濺射出來射向襯底，從而實(shí)現(xiàn)薄膜的沉積。使用DCPVD濺射絕緣材料時(shí)會(huì)導(dǎo)致正電荷在靶材表面積累，靶材的負(fù)電性減弱直至消失，導(dǎo)致濺射終止，因此不適用絕緣材料沉積，解決該問題的辦法是使用RFPVD或者CVD；另外，DCPVD啟輝電壓高，電子對(duì)襯底的轟擊強(qiáng)，解決該問題的辦法是使用磁控濺射PVD。

2.射頻濺射RFPVD：適合各種金屬和非金屬材料。RFCVD采用射頻電源作為激勵(lì)源，轟擊出的靶材原子動(dòng)能較DCPVD更小，因此既可以沉積金屬也可以沉積非金屬材料，但由于臺(tái)階覆蓋率能力不如CVD，一般多用CVD沉積絕緣材料；RFPVD在改變薄膜特性和控制粒子沉積對(duì)襯底損傷方面有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，因此可以用來配合直流磁控PVD使用，來降低DCPVD對(duì)圓片上的器件的損傷。

在實(shí)際應(yīng)用中，RFPVD主要沉積金屬柵或者配合磁控濺射PVD使用來降低器件損傷。

3.磁控濺射PVD：在當(dāng)前金屬薄膜PVD中處于主導(dǎo)地位，是對(duì)平面型DCPVD的改進(jìn)。磁控濺射是一種在靶材背面添加磁體的PVD方式，利用濺射源在腔室內(nèi)形成交互的電磁場(chǎng)，延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑進(jìn)而提高等離子體的濃度，最終實(shí)現(xiàn)更多的沉積。磁控PVD等離子體濃度更高，可以實(shí)現(xiàn)極佳的沉積效率、大尺寸范圍的沉積厚度控制、精確的成分控制等，在當(dāng)前金屬薄膜PVD中處于主導(dǎo)地位。

磁控濺射PVD主要用于Al金屬籽晶層、TiN金屬硬掩膜。磁控濺射PVD中的磁控DCPVD是應(yīng)用最廣泛的沉積方式，特別是對(duì)于平面薄膜的沉積，比如Al互連的金屬層，但在Cu互連（CuBs）中應(yīng)用減少，32nm以下的TiN硬掩膜又開啟了這類技術(shù)的新應(yīng)用。 

4.離子化PVD（Ionized-PVD）：為滿足高深寬比通孔和狹窄溝道的填充能力，而對(duì)磁控DCPVD做出的改進(jìn)。傳統(tǒng)PVD無法控制粒子的沉積方向，在孔隙深寬比增加時(shí)，底部的覆蓋率較低，同時(shí)頂部拐角處形成最薄弱的覆蓋。離子化PVD為解決這一問題而出現(xiàn)，是對(duì)磁控濺射DCPVD的改進(jìn)，可以控制金屬離子的方向和能量，以獲得穩(wěn)定的定向金屬離子流，從而提高對(duì)高深寬比通孔和狹窄溝道的臺(tái)階底部的覆蓋能力。

離子化PVD主要用于Al的阻擋層、CuBs中的阻擋層和籽晶層，也可以和金屬CVD結(jié)合用于沉積鎢栓塞中的Ti粘附層。